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結果: 找到相關主題 492 個
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保護板mos,to-252 150a30v,KND2803S場效應管參數-KIA MOS管
鋰電池保護板專用MOS管KND2803S漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低的導通電阻RDS(開啟)2.1mΩ，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力等特性，開關速度快、內阻低、耐沖擊特性好，堅固可靠；適用于PWM應用...www.enlve.com/article/detail/5483.html 2025-05-13
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led mos,130a150v場效應管,KNP2915A參數引腳圖-KIA MOS管
LED電源專用MOS管KNP2915A漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，極低的導通電阻RDS(開啟) 10mΩ；卓越的低Rds開啟、低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；符合JEDEC標準，穩定可靠；適用于電機控制和驅動、電池管理、UPS（不間斷電源...www.enlve.com/article/detail/5498.html 2025-05-13
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2908mos管,2908場效應管,80v130a,KNH2908B參數資料-KIA MOS管
KNH2908B場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，低RDS（ON）的高密度電池設計，極低導通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導電損耗；低柵極電荷、完全表征雪崩電壓和電流、穩定性和均勻性好，EAS高；性能優越，確保應用高效穩定，適...www.enlve.com/article/detail/5507.html 2025-05-13
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bms專用mos,2803mos管,30v150a,KNB2803S場效應管參數-KIA MOS管
KNB2803S場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力、開關速度快；確保應用系統的高效性、可靠性和安全性；2803mos管?適用于逆變器、BM...www.enlve.com/article/detail/5513.html 2025-05-13
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電機控制器mos,80a40v mos,KNG3404D場效應管-KIA MOS管
電機控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進的溝槽技術，具有良好的穩定性及抗沖擊能力；極低導通電阻RDS(開啟) 4.4mΩ，最大限度地減少導電損耗，降低功耗、提升效率；具有低Crss、改進的dv/dt能力，實現快速切換；經過100%雪崩測試，堅固...www.enlve.com/article/detail/5516.html 2025-05-13
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5n50mos管,500v5a,KIA5N50SY場效應管參數,原廠現貨-KIA MOS管
KIA5N50SY場效應管漏源擊穿電壓高達500V，漏極電流5A，低導通電阻RDS(開啟) 1.35Ω，最大限度地減少導電損耗，高效低耗?；堅固的高壓端接、指定雪崩能量、源極到漏極二極管的恢復時間可與分立快速恢復二極管相媲美，低電荷、低反向傳輸電容，?開關速度快；?...www.enlve.com/article/detail/5519.html 2025-05-13
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8104mos管,30a40vmos管,KNG8104A場效應管參數資料-KIA MOS管
KNG8104A場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流30A，極低導通電阻RDS(開啟) 12mΩ，最大限度地減少導電損耗；低電流、低功耗、開關速度快，高效低耗；100%經雪崩測試、提高dv/dt能力，穩定可靠，環保無鉛；廣泛應用于PWM應用、電源管理、負載開關等；封裝形式：DF...www.enlve.com/article/detail/5666.html 2025-05-13
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升壓器電路12v升220v電路圖分享-KIA MOS管
由MOS場效應管和普通電源變壓器構成的逆變器。其輸出功率的大小，主要受到MOS場效應管和電源變壓器功率的影響。通過合理選擇這些元件，可以實現所需的升壓效果。www.enlve.com/article/detail/5665.html 2025-05-13
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主板復位電路圖,工作原理詳解-KIA MOS管
假設主板已經通電運行，當按下復位鍵時，就會產生一個跳變的觸發信號，此信號經過A點進入74HC14門電路芯片，經過兩次反相后（信號波形不變，只是進行電平轉換），經過B點進入南橋芯片。南橋芯片收到跳變信號后，本身先復位，同時其內部的復位電路從c點輸出一個...www.enlve.com/article/detail/5664.html 2025-05-13
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3203場效應管,30v pmos,dfn56,KPY3203D參數引腳圖-KIA MOS管
KPY3203D場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-100A，采用先進的高細胞密度溝槽技術，極低的導通電阻RDS(on)=3.5mΩ，超低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗；100%EAS保證、CdV/dt效應顯著下降、綠色設備可用，符合環保要求；具有高輸入電阻、低...www.enlve.com/article/detail/5663.html 2025-05-12
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步進電機驅動器接線圖,接線方法-KIA MOS管
將步進電機驅動器的脈沖輸入信號和方向輸入信號的正極與表控的5V端子相連。將脈沖輸入信號的負端與表控的Y1輸出端子相接。將方向輸入信號的負端與表控的Y2輸出端子相連。www.enlve.com/article/detail/5662.html 2025-05-12
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前級功放和后級功放的區別詳解-KIA MOS管
前級功放：前級功放一般功率較小，因為其主要任務是初步放大信號和調整音質，而不是直接驅動揚聲器。后級功放：后級功放的功率通常較大，幾十瓦甚至幾百瓦不等，以滿足揚聲器對大功率信號的需求。www.enlve.com/article/detail/5661.html 2025-05-12
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20n50參數及代換,20a500vmos管,KNH7150A參數引腳圖-KIA MOS管
KNH7150A場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，采用專有新平面技術，?低導通電阻RDS(開啟) 0.24，最小化開關損耗；具有低柵極電荷?、快恢復體二極管，高效低耗、穩定可靠，是一款性能出色的器件，7150場效應管在適配器充電器、開關電源、液晶面板電源應用...www.enlve.com/article/detail/5660.html 2025-05-09
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硬件設計電路,電路原理圖分享-KIA MOS管
運算放大器和反相放大器：通過簡單的負反饋配置，實現信號的放大和倒相，廣泛應用于信號處理和濾波。www.enlve.com/article/detail/5659.html 2025-05-09